제조업체 제품 번호:
CDMSJ2204.7-650 SL
Product Overview
제조사:
Central Semiconductor Corp
부품 번호:
CDMSJ2204.7-650 SL-DG
설명:
SUPER JUNCTION MOSFETS
상세 설명:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 22.5W (Tc) Through Hole TO-220FP
재고:
500 새로운 원본 재고 있음
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제출
CDMSJ2204.7-650 SL 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Central Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
990mOhm @ 2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs(최대)
30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
306 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
22.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220FP
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
추가 정보
다른 이름들
CDMSJ2204.7-650 SL PBFREE
1514-CDMSJ2204.7-650SL
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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